黑龙江功率型热敏电阻选型

热敏电阻是一种传感器电阻，其电阻值随着温度的变化而改变。按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻（PTCthermistor，即PositiveTemperatureCoefficientthermistor）和负温度系数热敏电阻（NTCthermistor，即NegativeTemperatureCoefficientthermistor）。正温度系数热敏电阻器的电阻值随温度的升高而增大，负温度系数热敏电阻器的电阻值随温度的升高而减小，它们同属于半导体器件。PTC热敏电阻于1950年出现，随后1954年出现了以钛酸钡为主要材料的PTC热敏电阻。PTC热敏电阻在工业上可用作温度的测量与控制，也用于汽车某部位的温度检测与调节，还大量用于民用设备，如控制瞬间开水器的水温、空调器与冷库的温度，利用本身加热作气体分析和风速机等方面。下面简介一例对加热器、马达、变压器、大功率晶体管等电器的加热和过热保护方面的应用。NTC已被***用于温度测量与控制、稳压、补偿、抑制浪涌电流以及流量流速测量等诸多领域。黑龙江功率型热敏电阻选型

材料常数（热敏指数）B值（K）B值被定义为：B=T1*T2/(T2-T1)ln(RT1/RT2)RT1：温度T1（K）时的零功率电阻值。RT2：温度T2（K）时的零功率电阻值。T1、T2：两个被指定的温度（K）。对于常用的NTC热敏电阻，B值范围一般在2000K～6000K之间。零功率电阻温度系数（αT）在规定温度下，NTC热敏电阻零动功率电阻值的相对变化与引起该变化的温度变化值之比值。αT：温度T（K）时的零功率电阻温度系数。RT：温度T（K）时的零功率电阻值。T：温度（T）。B：材料常数。北京过流保护热敏电阻***/航空航天的应用要求使用精密薄片或玻璃珠组合NTC。

这类材料有单晶半导体、多晶半导体、玻璃半导体、有机半导体以及金属氧化物等。它们均具有非常大的电阻温度系数和高的电阻率，用其制成的传感器的灵敏度也相当高。按电阻温度系数也可分为负电阻温度系数材料和正电阻温度系数材料.在有限的温度范围内，负电阻温度系数材料a可达-6*10-2/℃，正电阻温度系数材料a可高达-60*10-2/℃以上。如饮酸钡陶瓷就是一种理想的正电阻温度系数的半导体材料。上述两种材料均***用于温度测量、温度控制、温度补瞬、开关电路、过载保护以及时间延迟等方面，如分别用子制作热敏电阻温度计、热敏电阻开关和热敏电阻温度计、热敏电阻开关和热敏电阻延迟继电错等。这类材料由于电阻和流度呈指数关系，因此测温范围狭窄、均匀性也差。

正温度系数（PTC）是指在某一温度下电阻急剧增加、具有正温度系数的热敏电阻现象或材料，可专门用作恒定温度传感器．该材料是以BaTiO3或SrTiO3或PbTiO3为主要成分的烧结体，其中掺入微量的Nb、Ta、Bi、Sb、Y、La等氧化物进行原子价控制而使之半导化，常将这种半导体化的BaTiO3等材料简称为半导（体）瓷；同时还添加增大其正电阻温度系数的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物，采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，从而得到正特性的热敏电阻材料。其温度系数及居里点温度随组分及烧结条件（尤其是冷却温度）不同而变化。功率型NTC热敏电阻的焦耳能量计算公式：E=1/2 CV2。

⑥额定功率PM：在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续负载所允许的耗散功率。在实际使用时不得超过额定功率。若热敏电阻器工作的环境温度超过25℃，则必须相应降低其负载。⑦额定工作电流IM：热敏电阻器在工作状态下规定的名义电流值。⑧测量功率Pc：在规定的环境温度下，热敏电阻体受测试电流加热而引起的阻值变化不超过0.1%时所消耗的电功率。⑨最大电压：对于NTC热敏电阻器，是指在规定的环境温度下，不使热敏电阻器引起热失控所允许连续施加的比较大直流电压；对于PTC热敏电阻器，是指在规定的环境温度和静止空气中，允许连续施加到热敏电阻器上并保证热敏电阻器正常工作在PTC特性部分的比较大直流电压。⑩最高工作温度Tmax：在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续工作所允许的最高温度。NTC具有对温度变化敏感、响应时间短、价格便宜、测温范围宽和互换替代性好等诸多优点。北京过流保护热敏电阻

PTC热敏电阻还大量用于民用设备，如控制瞬间开水器的水温、空调器与冷库的温度。黑龙江功率型热敏电阻选型

负温度系数（NTC）热敏电阻是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料。该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数（NTC）的热敏电阻．其电阻率和材料常数随材料成分比例、烧结气氛、烧结温度和结构状态不同而变化。还出现了以碳化硅、硒化锡、氮化钽等为**的非氧化物系NTC热敏电阻材料。NTC热敏半导瓷大多是尖晶石结构或其他结构的氧化物陶瓷，具有负的温度系数，电阻值可近似表示为：R(T)=R(T0)*exp(Bn(1/T-1/T0))，式中R(T)、R(T0)分别为温度T、T0时的电阻值，Bn为材料常数。陶瓷晶粒本身由于温度变化而使电阻率发生变化，这是由半导体特性决定的。黑龙江功率型热敏电阻选型

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